近日，材料學(xué)院楊德仁教授團隊研發(fā)的“微量摻鍺直拉硅單晶”項目獲2015年浙江省技術(shù)發(fā)明一等獎，受到省委省政府嘉獎。
    
    據(jù)介紹，10余年前楊德仁教授在國際上率先提出"有意摻入微量鍺雜質(zhì)來調(diào)控直拉硅單晶中缺陷"的新思路，并發(fā)明了微量摻鍺直拉硅單晶及系列技術(shù)，并實現(xiàn)了直徑150-300 mm摻鍺直拉硅單晶的生長。
    
    經(jīng)長期研究，該研究團隊還發(fā)現(xiàn)了微量摻鍺抑制空洞型缺陷等規(guī)律，提出了調(diào)控直拉硅單晶中缺陷的"雜質(zhì)工程"的新概念。在此基礎(chǔ)上，團隊發(fā)明了微量摻鍺直拉硅單晶的外延、吸雜等微電子器件相關(guān)的技術(shù)，實現(xiàn)其在微電子產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用。
    
    研究團隊利用摻鍺實現(xiàn)重摻直拉硅單晶的晶格畸變補償，制備了無失配位錯的厚外延片。研究團隊發(fā)明的吸雜工藝使摻鍺硅片在近表面形成無缺陷區(qū)，在體內(nèi)形成高密度的吸雜點，能有效吸除有害金屬。該團隊還發(fā)明了微量摻鍺直拉硅單晶的低光衰減、薄片化等太陽能電池相關(guān)的技術(shù)，實現(xiàn)其在光伏產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用。